Hochtemperatur/ LP-CVD System für Mikrosystemtechnik und Nanotechnologie

1 STK Hochtemperaturanlage mit 8 Prozessstationen / Rohren mit Beladeeinrichtungen für Hochtemperatur- und LP-CVD Prozesse, vorwiegend für monokristalline Siliziumwafer. - Footprint der Gesamtanlage nicht größer als 400cm x 600cm x 295cm (L x B x H). - Besteht das Gesamtsystem aus mehreren Einzelanlagen / Teilen müssen alle Anlagen innerhalb des angegebenen Footprints aufgestellt werden können. - Vom angegebenen Footprint ausgenommen sind ausschließlich eine etwaige Bedienkonsole, diese darf separat auf einem max. 180cmx80cm messenden Tisch untergebracht werden und die Vakuum-Pumpen, welche innerhalb eines Service-Bereichs untergebracht werden dürfen. - Bei zwei gekoppelten Einzelanlagen: ist eine an der Rückwand gespiegelte Konfiguration (eine Anlage mit Beladestationen rechts, eine Anlage mit Beladestationen links) vorzusehen - Alle 8 Prozessstationen sind auf die parallele Bearbeitung von mindestens 13 Stück Wafer pro Prozess auszulegen. - Die verarbeitbaren Durchmesser der Wafer sind mindestens: o 150mm und o 100mm - Die Prozessstationen sind als horizontal angeordnete Prozessrohre mit jeweils einem Quarz- oder SiC-Rohr und jeweils einer automatischen/motorisierten Beladestation vorzusehen. - Der Ausleger (Paddle) zur Beladung ist aus Siliciumcarbid auszuführen. - Die Beladestation(en) sind mit Luftfiltereinheit(en) mit laminarer Luftströmung vorzusehen. - Jede Prozessstation ist mit jeweils mindestens 3 Temperaturregelzonen pro Prozessrohr auszuführen. - Jedes LP - CVD Prozessrohr ist mit einem integrierten Leckratetest / Druckverlustprofiling zu realisieren. - Innerhalb der Bearbeitungszone der min. 13 Prozesswafer (Flat-Zone) ist im Prozess eine Temperaturabweichung vom Sollwert von höchstens +/-1 K und eine Soll-Temperaturabweichung von Run zu Run höchstens +/-1 K zu erzielen. - Mindestens ein geeignetes Thermoelement pro Temperaturregelzone zur Prozessüberwachung und -regelung muss vorhanden sein. - Mindestens ein geeignetes Thermoelement pro Temperaturregelzone als Ausfallsicherung muss vorhanden sein. - Mindestens ein Profilthermoelement pro Prozessstation - Geeignete Messeinrichtungen zur Anlagenüberwachung und Steuerung in Bezug die technische Sicherheit (z.B. Übertemperaturabschaltung, Abluftausfall, Kühlwasserausfall, Gasversorgungsausfall, redundante Interlocks...) müssen vorhanden sein. - In den Gaskabinetten ist eine Prozessgaszuführung und -verteilung, Prozessgassteuerung und -überwachung nach Stand der Technik, abgestimmt auf die Eigenschaften der für die Prozessstationen spezifizierten Prozessgase und Flüssigkeiten zu realisieren. - Absaugung / Scavenger an der Prozessstation - Anlagensteuerung(en) mit Monitor und Benutzerschnittstelle, spätestens nach Ablauf der Garantie müssen alle Benutzer- und Servicelevel für die WHZ zugänglich dauerhaft sein werden - mehrere Prozessstationen können in einer Steuerung/Benutzerschnittstelle zusammengefasst werden - Bei Störung muss die Anlage selbsttätig in einen sicheren Zustand übergehen, wenn dazu eine unterbrechungsfreie Stromversorgung notwendig ist, ist diese mit zu inkludieren. - Maschinen Not-Aus Schalter, gesichert gegen Wiederanschalten - CE Zertifikat und CE Kennzeichnung für Gesamtanlage - Einhaltung der EU-Maschinenrichtlinie (2006/42/EC / oder 2023/1230, je nach Auslieferungsdatum), wo anwendbar - Vollständige Anlagendokumentation. 1 STK Prozessstation, Oxidation, n-Typ-Substrate - Dauerprozesstemperatur mindestens 1050°C - Quarz oder SiC Prozessrohr - Komplettes Gaszufuhrsystem mit Massenstromregelung für: Stickstoff, Wasserstoff, Sauerstoff, Dichlorethylen mit N2 Trägergas - Wasserstoff/Sauerstoff-Verbrenner zur Erzeugung von H2O und Injektion in den Ofen ("External Torch"), Überwachung und Sicherheitseinrichtungen nach Stand der Technik - Automatisiert, über die Anlage angesteuerter Bubbler mit Temperierung für 1,2-Dichlorethylen, 1500mL "Fuji"- kompatibel oder mitgelieferter Quarzbubbler. - Quartz Baffle / Diffusor, falls zur Erreichung der von Lieferer zu spezifizierenden Homogenität nötig 1 STK Prozessstation, Oxidation, p-Typ Substrate - Dauerprozesstemperatur mindestens 1050°C - Quarz oder SiC Prozessrohr - Komplettes Gaszufuhrsystem mit Massenstromregelung für: Stickstoff, Wasserstoff, Sauerstoff, Dichlorethylen mit N2 Trägergas - Wasserstoff/Sauerstoff-Verbrenner zur Erzeugung von H2O und Injektion in den Ofen ("External Torch"), Überwachung und Sicherheitseinrichtungen nach Stand der Technik - Automatisiert, über die Anlage angesteuerter Bubbler mit Temperierung für 1,2-Dichlorethylen, 1500mL "Fuji"- kompatibel oder mitgelieferter Quarzbubbler. - Quartz Baffle / Diffusor, falls zur Erreichung der von Lieferer zu spezifizierenden Homogenität nötig 1 STK Prozessstation, n-Dotierung - Prozesstemperatur mindestens 1000°C - Quarz oder SiC Prozessrohr, Phosphoroxychlorid Injektor und kompatibler Abgasstrang - Komplettes Gaszufuhrsystem mit Massenstromregelung für: Stickstoff, Sauerstoff und Phosphoroxychlorid mit N2 Trägergas - Bubbler für Phosphoroxychlorid, 1500mL "Fuji"- kompatibel oder mitgelieferter Quarzbubbler. - Baffle für Phosphoroxychlorid, dieser kann in Tür integriert sein, falls zur Erreichung der von Lieferer zu spezifizierenden Homogenität nötig - Separate Abgasführung mit Abscheider/Kondensor für Phosphorsäure 1 STK Prozessstation, p-Dotierung - Prozesstemperatur mindestens 1050°C - Quarz oder SiC Prozessrohr - Komplettes Gaszufuhrsystem mit Massenstromregelung für: Stickstoff, Sauerstoff, BBr3 mit N2 als Trägergas - BBr3 Injektor und kompatibler Abgasstrang - Bubbler für BBr3, 1500mL "Fuji"- kompatibel oder mitgelieferter Quarzbubbler. - Baffle für BBr3, falls zur Erreichung der von Lieferer zu spezifizierenden Homogenität nötig 1 STK Prozessstation, Oxidation - Dauerprozesstemperatur mindestens 1050°C - Quarz oder SiC Prozessrohr - Komplettes Gaszufuhrsystem mit Massenstromregelung für: Stickstoff, Wasserstoff, Sauerstoff, Dichlorethylen mit N2 Trägergas